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计算机存储器所存放的各类丰富多彩的信息,归根结底不过是些不同的二进制编码数,是0和1的不同组合。人们常将两种相反的物理现象表示为数据的0和1,如:磁化和未磁化、导通和不导通。场效应管具备导通和不导通两种状态,因此利用场效应管作为存储单元的场效应管阵列可作为存储设备。
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Flash技术是采用特殊的浮栅场效应管作为存储单元。
普通的场放应管为三端器件,它的三个极分别为:源极漏极和栅极。而浮栅场效应管的结构与普通的场效应管有很大区别。它具有两个栅极,一个如普通场效应管栅极一样,用导线引出,称为“控制栅极”,也叫“选择栅”,另一个则处于氧化硅的包围之中不与任何部分相连,这个不与任何部分相连的栅极称为“浮置栅极”,也简称“浮栅”。在数据存储原理上,Nand Flash和NOR Flash稍有不同,为了使读者对Nand Flash的存储原理有一个清晰的了解,下次会对这两种Flash分别详细介绍。
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