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    Flash数据存储原理简要概括(二)

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    Flash数据存储原理简要概括(二)

    发布日期:2018-08-11 作者:葫芦娃污视频下载官网 点击:

       葫芦娃污视频下载葫芦娃污视频下载葫芦娃视频污下载工厂继续为您概括上一次说道的Flash数据存储原理,这一部分主要是针对NOR Flash而进行的,还有关于Nand Flash的内容,可以在下一次为您说道。

       对NOR Flash而言,在通常情况下,其浮栅不带电荷,则该浮栅场效应管处于不导通状态。浮栅场效应管的漏极电平为高,则表示数据。   

       写入数据时,浮栅场效应管的漏极和控制栅极都会加上较高的写入电压,源极则接地。这样大量的电子从源极流向漏极,形成相当大的电流,产生大量热电子,形成热电子效应,由于电子的密度大,有的电子就到达了衬底与浮置栅极之间的二氧化硅层,这是由于控制栅极加有高电压,在电场的作用下,这些电子又通过二氧化硅层到达浮置栅极,并在浮置栅极形成电子团。即使在掉电的情况下,浮置柵极上的电子团,仍然会长期保留,所以信息能够长期保存(通常来说,这个时间可达10年,现在在对于存储品这一块的问题上,对于信息保持年限的要求一直最求更好,像葫芦娃污视频下载葫芦娃污视频下载葫芦娃视频污下载工厂是能做到在葫芦娃视频污下载定制类产品上,保证能存储十年的,保证了您使用的安全性)。由于浮置栅极为负,所以控制栅极为正,在存储器电路中,源极接地,所以相当于场效应管导通,漏极电平为低,即数据被写入。

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       擦除时,源极加上较高的编程电压,控制栅极接地,漏极开路。根据隧道效应和量子力学的原理,浮置栅极上的电子将穿过势垒到达源极,浮置栅极上没有电子后,就意味着信息被删除了。

       由于热电子的速度快,所以写入时间短,并且数据保存的效果好,但是耗电量比较大。每个浮栅场效应管为一个独立的存储单元。组浮栅场效应管的漏极连接在一起组成位线,场效应管的控制栅极连接在一起组成选择线, 可以访问每一个存储单元,也就是说可以以字节或字为单位进行寻址,属于并行方式。因此可以实现快速的随机访问,但是这种方式使得存储密度减低,相同容量时,耗费的硅片面积比较大,因而NOR Flash芯片的价格比较高。

       不管是那种存储品,都是容量越大,速度越快价格越高。像USB2.0葫芦娃视频污下载就价格不如USB3.0葫芦娃视频污下载,相信正规葫芦娃视频污下载工厂都是如此,在更好的用户体验上,以更好的产品以得到用户的认同,在葫芦娃视频污下载定制产品上为客户得到更大的提升。


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