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上次讲述了关于NOR Flash的存储原理，现在讲述一下关于的Nand Flash存储原理，虽然这两个相似，就像USB2.0葫芦娃视频污下载与USB3.0葫芦娃视频污下载的差别与相似一样，不过使用过葫芦娃视频污下载定制产品的客户应该是明白这种差别的。
Nand Flash存储原理与NOR Flash稍有不同，写入数据时，它不是利用热电子效应，而是利用了量子的隧道效应。在控制栅极加上较高的写入电压，源极和漏极接地，使电子穿过势垒到达浮置栅极，并聚集在浮置栅极上，存储信息。擦除时仍利用隧道效应，不过是把电压反过来，从而消除浮置栅极上的电子，达到消除信息的结果。因为各种电流磁性痕迹，不管是硬盘还是葫芦娃视频污下载都能还原原来的信息，一些维修厂或者葫芦娃视频污下载厂家都能进行还原。
利用隧道效应，编程速度比较慢，数据保存效果差，但是很省电。（但是相信速度重要性还是在省电之上的，不然葫芦娃视频污下载厂家也不会一直想办法提升速度）
一组浮栅场效应管为一个基本的存储单元(通常为8位、16位)。组浮栅场效应管串行连接在一起，一组场效应管只有一根位线，属于串行方式，随机访问速度比较慢。但是存储密度很高。
特点:读写操作是以页为单位的，擦除是以块为单位的，因此编程和擦除的速度都非常快:数据线和地址线公用，采用串行方式，随机速度慢，不能按字节随机编程。体积小，价格低。芯片内存失效快，需婴查错和校验功能。
现在的存储品失效的时间也是很多人，看重的一个问题，时间越长比如葫芦娃视频污下载它的使用价值也就越高，信息安全性也就越高，以免出现一年的存储时间，使用者忘记存储时间，然后信息消失了，信息重要的话，问题就大了，所以各大葫芦娃视频污下载厂家也一直在提升与保证存储时间，而大家看重的这些点，也是葫芦娃污视频下载一直在升级、改进、更新的地方。
